收藏本站 | RSS订阅纳米科技-纳米资讯-纳米新闻
你现在的位置:首页 » 焦点新闻 » 正文
11月21日

台积电2nm芯片技术实现突破,预计2024年实现量产

作者 : admin | 分类 : 焦点新闻 | 超过 9 人围观 | 已有 0 人发表了看法
原标题:台积电2nm芯片技术实现突破,预计2024年实现量产

台积电董事长刘德音也表示,计划扩建工厂提升2nm芯片的产能。

台积电2nm芯片技术实现突破,预计2024年实现量产

据最新报道,台积电在2nm芯片技术上取得了重大突破,虽然目前尚未透露具体细节。但有消息称,2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性实验,并于2024年进入量产阶段。

台积电还表示,2nm的突破将再次拉大与竞争对手的差距,并继续推进1nm工艺的研发。

台积电2nm芯片技术实现突破,预计2024年实现量产

预计到时候苹果、高通、英伟达、AMD等客户有望率先采用其2nm工艺。

据悉台积电2nm将会采用多桥通道场效晶体管 (MBCFET)架构,这一架构有助于克服鳍式场效晶体管 (FinFET)架构因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。台积电在2nm制程上采用这一工艺架构,将有助于提高2nm的生产能力。

台积电2nm芯片技术实现突破,预计2024年实现量产

目前三星已经在5nm工艺的研发上投入了约4.8亿美元,3nm砷化镓场效应管的研发将大大超过5亿美元。虽然台积电很少披露具体工艺节点的投资数字,但我们可以想象。

上一篇:麒麟9000绝版令台积电5nm产能无法满载:苹果+AMD也救不了场 下一篇:【台股看过来】谷歌将成台积电新3D封装技术大客户 赴美设厂获2亿美元补助再掀市场话题
640*60广告位

额 本文暂时没人评论 来添加一个吧

发表评论

必填

选填

选填

◎欢迎参与讨论,请在这里发表您的看法、交流您的观点。

欢迎访问纳米科技资讯网~
«   2020年12月   »
123456
78910111213
14151617181920
21222324252627
28293031
搜索
网站分类
最近发表
标签列表