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11月20日

三星首次披露3nm量产时间之际,台积电2nm传出“重大突破”

作者 : admin | 分类 : 焦点新闻 | 超过 6 人围观 | 已有 0 人发表了看法
原标题:三星首次披露3nm量产时间之际,台积电2nm传出“重大突破”

观察者网·大橘财经讯(文/吕栋 编辑/尹哲)麒麟9000、A14、M1,台积电5nm工艺量产后的首批产品上市,便让市场眼前一亮。而同样拥有5nm量产能力的三星却“门可罗雀”,至今未有产品上市。

不过,在“老大吃肉、老二喝汤、老三喝西北风”的晶圆代工市场,三星并不满足于“喝汤”。

日前,据彭博社报道,三星近期首次向外界披露其3nm的量产时间——2022年,这一时间点与台积电的计划保持一致。该公司去年公布“半导体愿景2030”,希望通过巨额投入在2030年超越台积电。

而台积电也并未“坐以待毙”。台媒也于近期放出消息,台积电的2nm工艺已取得重大突破,有望在2024年量产,该公司还将进行1nm工艺的研发,以延续摩尔定律。

三星首次披露3nm量产时间之际,台积电2nm传出“重大突破”

三星首次披露3nm量产时间之际,台积电2nm传出“重大突破”

报道截图

三星首次披露3nm目标

芯片制造领域的高投入和高风险,让高端制程的玩家越来越少。

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最近几年,台积电一直在制程进度上“独领风骚”,5nm制程麒麟9000、A14、M1芯片上市后,让华为和苹果的智能终端在市场上赚足了眼球。

而今年7月已宣称量产5nm的三星,目前还未有产品上市,并被曝出良率过低。

但三星并不甘心,去年披露的“半导体愿景2030”显示,该公司计划对系统芯片研发和生产技术领域投入133万亿韩元(约合人民币7780亿元),希望能在2030年超越台积电。

这一目标也在最近传出最新进展

11月17日,据彭博社报道,三星晶圆代工部门的一位高管上月透露,该公司将在2022年大规模生产3nm制程芯片。这是三星首次向外界披露该目标。

这意味着,三星将与台积电2022年下半年量产3nm的计划保持一致。

这家韩国厂商还希望在这方面取得更大优势,其3nm将采用Gate-All-Around(GAA)技术,这一技术可以更精确地控制通道间的电流,缩小芯片面积,降低功耗。

三星首次披露3nm量产时间之际,台积电2nm传出“重大突破”

芯片制造工艺图示

而台积电为其3nm生产线选择了更为成熟的FinFET技术。

韩国仁河大学材料科学与工程教授崔绿诺(Rino Choi)表示,三星正以非常快的速度追赶台积电,该公司希望通过首次采用这种新技术,取得对竞争对手的优势地位。

“但是,如果三星不能在初期阶段迅速提高先进节点的产量,它可能会亏损。”他补充道。

目前,三星的存储器芯片和显示面板技术在市场上占据优势,但该公司也希望在2500亿美元的代工和逻辑芯片领域中占有更大的份额,随着人工智能和5G的发展,这个行业正快速增长。

今年二季度,在全球晶圆代工领域,台积电份额过半,而三星占有率不到二成。

三星首次披露3nm量产时间之际,台积电2nm传出“重大突破”

二季度全球晶圆代工市场份额 数据来源:TrendForce

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