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10月12日

芯动科技:全球首发基于中芯国际 FinFET N+1 先进工艺芯片

作者 : admin | 分类 : 焦点新闻 | 超过 13 人围观 | 已有 0 人发表了看法
原标题:芯动科技:全球首发基于中芯国际 FinFET N+1 先进工艺芯片

IT之家10月11日消息 中国一站式 IP 和定制芯片企业芯动科技(INNOSILICON)今天发布:已完成全球首个基于中芯国际 FinFET N+1 先进工艺的芯片流片和测试,所有 IP 全自主国产,功能一次测试通过。

芯动科技:全球首发基于中芯国际 FinFET N+1 先进工艺芯片

IT之家获悉,官方介绍称,自 2019 年始,芯动在中芯 N+1 工艺尚待成熟的情况下,团队投入数千万元设计优化,率先完成 NTO 流片。基于 N+1 制程的首款芯片经过数月多轮测试迭代,助力中芯国际突破 N+1 工艺良率瓶颈。

芯动科技与全球知名代工厂已有多年国产 IP 生态共建的合作,为大量国内和全球客户实现从成熟工艺(55nm、40nm、28nm、22nm 等)到先进工艺(如 FinFET 14nm、12nm、7nm 等)的不断跨越,在各先进工艺中规模 IP 授权和定制批量生产高端 SOC,包括 GDDR6/Chiplet/Serdes 等先进技术规模量产

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